FDN358P
Symbol Micros:
TFDN358p
Obudowa: SuperSOT3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 210mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SuperSOT3 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN358P RoHS
Obudowa dokładna: SuperSOT3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1180 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1000 | 1,2700 | 0,9760 | 0,8810 | 0,8380 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN358P
Obudowa dokładna: SuperSOT3
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8380 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDN358P
Obudowa dokładna: SuperSOT3
Magazyn zewnetrzny:
435000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8380 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SuperSOT3 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |