FDN359AN
Symbol Micros:
TFDN359an
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 75mOhm; 2,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 75mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDN359AN RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6900 | 0,9310 | 0,7320 | 0,6780 | 0,6500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN359AN
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN359AN
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 75mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |