FDN5630
Symbol Micros:
TFDN5630
Obudowa: SuperSOT3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 180mOhm; 1,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 180mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SuperSOT3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN5630
Obudowa dokładna: SuperSOT3
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3492 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN5630
Obudowa dokładna: SuperSOT3
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3897 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN5630
Obudowa dokładna: SuperSOT3
Magazyn zewnetrzny:
258000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4026 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 180mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SuperSOT3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |