FDP18N50
Symbol Micros:
TFDP18n50
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 265mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 235W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP18N50 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,8400 | 7,4100 | 6,5900 | 6,0800 | 5,8900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP18N50
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
10521 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,8900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP18N50
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
750 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,1394 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDP18N50
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,0747 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 265mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 235W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |