FDP3632

Symbol Micros: TFDP3632
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 80A; 310W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 22mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 310W
Obudowa: TO220
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDP3632 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,2609
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 22mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 310W
Obudowa: TO220
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT