FDP42AN15A0
Symbol Micros:
TFDP42an15a0
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 107mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP42AN15A0 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,0600 | 4,2400 | 3,6100 | 3,3000 | 3,1900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP42AN15A0
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
700 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,6425 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 107mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |