FDP52N20
Symbol Micros:
TFDP52n20
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 49mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 52A |
| Maksymalna tracona moc: | 357W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP52N20 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,2400 | 6,9100 | 6,1400 | 5,6700 | 5,4900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP52N20
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2834 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4900 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDP52N20
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 49mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 52A |
| Maksymalna tracona moc: | 357W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |