FDP61N20
Symbol Micros:
TFDP61n20
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 41mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 61A |
| Maksymalna tracona moc: | 417W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP61N20 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,0400 | 8,4200 | 7,4800 | 6,9000 | 6,6900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP61N20
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP61N20
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP61N20
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3794 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 41mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 61A |
| Maksymalna tracona moc: | 417W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |