FDPF18N50
Symbol Micros:
TFDPF18n50
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 265mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 38,5W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDPF18N50 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
6 szt.
| ilość szt. | 1+ | 6+ | 18+ | 30+ | 150+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 15,4800 | 11,8300 | 10,8300 | 10,5300 | 9,9900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDPF18N50
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
700 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,9900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDPF18N50
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 265mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18A |
| Maksymalna tracona moc: | 38,5W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |