FDPF20N50FT
Symbol Micros:
TFDPF20n50ft
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 260mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 38,5W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDPF20N50FT RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
34 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,5200 | 8,8200 | 7,8400 | 7,2300 | 7,0100 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDPF20N50FT
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
450 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,0100 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDPF20N50FT
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,1440 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 260mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 38,5W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |