FDPF51N25
Symbol Micros:
TFDPF51n25
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 38W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 51A |
| Maksymalna tracona moc: | 38W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDPF51N25 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,4600 | 6,5000 | 5,7800 | 5,4100 | 5,2900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDPF51N25
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 51A |
| Maksymalna tracona moc: | 38W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Montaż: | THT |