FDS4435BZ
Symbol Micros:
TFDS4435bz
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 35mOhm; 8,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS4435BZ-F085;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS4435BZ RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2700 | 2,0700 | 1,6300 | 1,4900 | 1,4200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS4435BZ
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4200 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDS4435BZ
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
47500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |