FDS5670

Symbol Micros: TFDS5670
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 27mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 27mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDS5670 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,7869
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 27mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD