FDS6675BZ
Symbol Micros:
TFDS6675bz
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 21,8mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 21,8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS6675BZ RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9400 | 3,2800 | 2,7200 | 2,4500 | 2,3500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS6675BZ
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS6675BZ
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
122500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 21,8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |