FDS6898A Fairchild

Symbol Micros: TFDS6898a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOIC08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 21mOhm; 9,4A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 21mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,4A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOIC08
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: FDS6898A RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9100 1,1600 0,8890 0,8020 0,7630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 21mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,4A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOIC08
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD