FDS6898A Fairchild
Symbol Micros:
TFDS6898a
Obudowa: SOIC08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 21mOhm; 9,4A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 21mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDS6898A RoHS
Obudowa dokładna: SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9100 | 1,1600 | 0,8890 | 0,8020 | 0,7630 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS6898A
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9227 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 21mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |