FDS8858CZ
Symbol Micros:
TFDS8858cz
Obudowa: SOP08
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V/25V; 24,3mOhm/34,5mOhm; 8,6A/7,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 34,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 8,6A |
Maksymalna tracona moc: | 2W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDS8858CZ RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,8900 | 3,2400 | 2,5800 | 2,3700 | 2,3300 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS8858CZ
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,3300 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS8858CZ
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,3300 |
Rezystancja otwartego kanału: | 34,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 8,6A |
Maksymalna tracona moc: | 2W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |