FDS9926A

Symbol Micros: TFDS9926a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDS9926A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
165 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,7100 1,7200 1,3600 1,2400 1,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDS9926A Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD