FDT458P Fairchild
Symbol Micros:
TFDT458p
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 210mOhm; 3,4A; 3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDT458P
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1718 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |