FDT86106LZ
Symbol Micros:
TFDT86106lz
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 189mOhm; 3,2A; 2,2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 189mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDT86106LZ RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8500 | 1,7900 | 1,4900 | 1,3200 | 1,2400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 189mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |