FDT86246
Symbol Micros:
TFDT86246
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 425mOhm; 2A; 2,2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 425mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2A |
Maksymalna tracona moc: | 2,2W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDT86246 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,7600 | 2,5000 | 2,0700 | 1,8700 | 1,7900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDT86246
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,0829 |
Rezystancja otwartego kanału: | 425mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2A |
Maksymalna tracona moc: | 2,2W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |