FDT86246

Symbol Micros: TFDT86246
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 425mOhm; 2A; 2,2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 425mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 2,2W
Obudowa: SOT223
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: FDT86246 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,7600 2,5000 2,0700 1,8700 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDT86246 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0829
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 425mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 2,2W
Obudowa: SOT223
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD