FDV301N

Symbol Micros: TFDV301n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 9Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N-NB9V008;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 9Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
36640 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8800 0,4180 0,2350 0,1790 0,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
193 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8800 0,4180 0,2350 0,1790 0,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1047
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
833 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8800 0,4180 0,2350 0,1790 0,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1953
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
156000 szt.
ilość szt. 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
24400 szt.
ilość szt. 100+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1838
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
3782 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,2387
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 9Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta