FDV301N

Symbol Micros: TFDV301n

Obudowa: SOT23

Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 9Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N-NB9V008;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	9Ohm
Maksymalny prąd drenu:	220mA
Maksymalna tracona moc:	350mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	25V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

36540 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,8800	0,4180	0,2350	0,1790	0,1600

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

193 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,8800	0,4180	0,2350	0,1790	0,1600

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

833 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,8800	0,4180	0,2350	0,1790	0,1600

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

15400 szt.

ilość szt.	100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,1822

Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

2785 szt.

ilość szt.	1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,5555

Producent: Fairchild Symbol producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

6642000 szt.

ilość szt.	4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,1600

Rezystancja otwartego kanału:	9Ohm
Maksymalny prąd drenu:	220mA
Maksymalna tracona moc:	350mW
Obudowa:	SOT23
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	25V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	8V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	5+	30+	200+	1000+	5000+
cena netto (PLN)	0,6930	0,2770	0,1610	0,1340	0,1260