FDV303N
Symbol Micros:
TFDV303n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 800mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 800mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 680mA |
Maksymalna tracona moc: | 350mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDV303N RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
7152 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,9450 | 0,4790 | 0,2900 | 0,2300 | 0,2100 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDV303N
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
5508000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2100 |
Rezystancja otwartego kanału: | 800mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 680mA |
Maksymalna tracona moc: | 350mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |