FDY1002PZ
Symbol Micros:
TFDY1002pz
Obudowa: SOT666
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 8V; 1,8Ohm; 830mA; 625mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 830mA |
| Maksymalna tracona moc: | 625mW |
| Obudowa: | SOT666 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDY1002PZ RoHS G..
Obudowa dokładna: SOT666
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 25+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8700 | 1,2200 | 0,9740 | 0,7970 | 0,7200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDY1002PZ
Obudowa dokładna: SOT666
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 830mA |
| Maksymalna tracona moc: | 625mW |
| Obudowa: | SOT666 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xP-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |