FGAF40N60SMD
Symbol Micros:
TFGAF40N60smd
Obudowa: TO 3Piso
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 115W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 119nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 115W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 3,5V ~ 6,0V |
| Obudowa: | TO-3Piso |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FGAF40N60SMD RoHS
Obudowa dokładna: TO 3Piso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
22 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 23,3300 | 19,6200 | 17,3900 | 16,2800 | 15,6600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FGAF40N60SMD
Obudowa dokładna: TO 3Piso
Magazyn zewnętrzny:
330 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 15,6600 |
| Ładunek bramki: | 119nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 115W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 3,5V ~ 6,0V |
| Obudowa: | TO-3Piso |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |