FGH40N60SFDTU
Symbol Micros:
TFGH40N60sfdtu
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 290W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,0V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FGH40N60SFDTU RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
60 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 90+ | 180+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 17,0700 | 14,6700 | 13,5600 | 13,2500 | 13,1300 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FGH40N60SFDTU
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
360 szt.
| ilość szt. | 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,1300 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FGH40N60SFDTU
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
120 szt.
| ilość szt. | 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,1300 |
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 290W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,0V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |