FGH40N60UFDTU
Symbol Micros:
TFGH40N60ufdtu
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 290W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,0V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FGH40N60UFDTU RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
28 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 18,0600 | 16,0400 | 14,8300 | 14,2300 | 13,8900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FGH40N60UFDTU
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
300 szt.
| ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,8900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FGH40N60UFDTU
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
720 szt.
| ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,8900 |
| Ładunek bramki: | 120nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 290W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,0V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |