FGH40T120SMD TO-247-3L

Symbol Micros: TFGH40T120smd
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~175°C;
Parametry
Ładunek bramki: 370nC
Maksymalna moc rozpraszana: 555W
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 160A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,9V ~ 7,5V
Obudowa: TO247
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FGH40T120SMD RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 33,2200 31,2000 29,9300 29,2700 28,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FGH40T120SMD Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
420 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 28,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FGH40T120SMD Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
420 szt.
ilość szt. 30+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 28,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FGH40T120SMD Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
3778 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 28,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
450
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Ładunek bramki: 370nC
Maksymalna moc rozpraszana: 555W
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 160A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,9V ~ 7,5V
Obudowa: TO247
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 25V
Montaż: THT