FGH40T120SMD-F155
Symbol Micros:
TFGH40T120smd-f155
Obudowa: TO247
Trans IGBT Chip N-CH; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~75°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 370nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 555W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,9V ~ 7,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FGH40T120SMD-F155
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
1170 szt.
| ilość szt. | 450+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 20,2599 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FGH40T120SMD-F155
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
420 szt.
| ilość szt. | 30+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 20,8630 |
| Ładunek bramki: | 370nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 555W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,9V ~ 7,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Napięcie kolektor-emiter: | 1200V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 25V |
| Montaż: | THT |