FGH75T65UPD TO247AB

Symbol Micros: TFGH75T65upd
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Podobny do : FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
Parametry
Ładunek bramki: 578nC
Maksymalna moc rozpraszana: 375W
Maksymalny prąd kolektora: 150A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 225A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,0V ~ 7,5V
Obudowa: TO247
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FGH75T65UPD RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 22,7900 20,9800 19,8700 19,3100 18,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FGH75T65UPD Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
420 szt.
ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 18,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FGH75T65UPD Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
2250 szt.
ilość szt. 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 18,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
450
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Ładunek bramki: 578nC
Maksymalna moc rozpraszana: 375W
Maksymalny prąd kolektora: 150A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 225A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,0V ~ 7,5V
Obudowa: TO247
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT