FMMT458 GALAXY

Symbol Micros: TFMMT458 GAL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FMMT458TA; FMMT458TC;
Parametry
Moc strat: 500mW
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 225mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Producent: GALAXY Symbol producenta: FMMT458 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0400 0,5180 0,3090 0,2560 0,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 500mW
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 225mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta