FMMT619TA

Symbol Micros: TFMMT619TA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 400; 806mW; 50V; 2A; 165MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FMMT619TC; FMMT619;
Parametry
Moc strat: 806mW
Częstotliwość graniczna: 165MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT619TA RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1650 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6300 0,8990 0,7070 0,6550 0,6280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT619TA Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
363000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT619TA Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
1002000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 806mW
Częstotliwość graniczna: 165MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN