FMMT717TA Diodes
Symbol Micros:
TFMMT717ta
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 475; 806mW; 12V; 2,5A; 110MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 806mW |
Częstotliwość graniczna: | 110MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Producent: | DIODES |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 2,5A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 12V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FMMT717TA RoHS 717
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,2700 | 0,8070 | 0,5660 | 0,4920 | 0,4600 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FMMT717TA
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4600 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FMMT717TA
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
540000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4600 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FMMT717TA
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4600 |
Moc strat: | 806mW |
Częstotliwość graniczna: | 110MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Producent: | DIODES |
Obudowa: | SOT23-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 2,5A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |