FMMT717TA Diodes

Symbol Micros: TFMMT717ta
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 475; 806mW; 12V; 2,5A; 110MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 806mW
Częstotliwość graniczna: 110MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 2,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT717TA RoHS 717 Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2700 0,8070 0,5660 0,4920 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT717TA Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT717TA Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
540000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT717TA Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 806mW
Częstotliwość graniczna: 110MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 2,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP