FMMT723TA DIODES

Symbol Micros: TFMMT723TA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 475; 806mW; 100V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 806mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT723TA RoHS 723 Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
340 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,7700 0,9820 0,7750 0,7040 0,6810
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT723TA RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
420 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,7700 0,9820 0,7750 0,7040 0,6810
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT723TA RoHS .723 Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,7700 0,9820 0,7750 0,7040 0,6810
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT723TA Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6810
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT723TA Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6810
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 806mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP