FQA24N60 Fairchild
Symbol Micros:
TFQA24n60
Obudowa: TO 3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 240mOhm; 23,5A; 310W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 240mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 23,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 310W |
| Obudowa: | TO 3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQA24N60 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3
Stan magazynowy:
9 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 19,2900 | 17,1400 | 15,8500 | 15,2000 | 14,8400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQA24N60
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
420 szt.
| ilość szt. | 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 18,6489 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQA24N60
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
330 szt.
| ilość szt. | 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 19,5576 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 240mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 23,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 310W |
| Obudowa: | TO 3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |