FQA8N100C
Symbol Micros:
TFQA8n100c
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 1,45Ohm; 8A; 225W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,45Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 225W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQA8N100C RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
39 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 60+ | 180+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 16,9800 | 14,5900 | 13,4900 | 13,2700 | 13,0600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQA8N100C
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
120 szt.
| ilość szt. | 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,0600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQA8N100C
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
| ilość szt. | 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,0600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,45Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 225W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |