FQAF11N90C Fairchild
Symbol Micros:
TFQAF11n90c
Obudowa: TO 3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,1Ohm; 7A; 120W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Maksymalna tracona moc: | 120W |
| Obudowa: | TO 3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQAF11N90C
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
360 szt.
| ilość szt. | 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,0594 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQAF11N90C
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
141000 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,1783 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Maksymalna tracona moc: | 120W |
| Obudowa: | TO 3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |