FQAF16N50 Fairchild
Symbol Micros:
TFQAF16n50
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 320mOhm; 11,3A; 110W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQAF16N50 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,7700 | 7,1400 | 6,1900 | 5,7400 | 5,4800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 320mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |