FQB34N20LTM
Symbol Micros:
TFQB34n20ltm
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 80mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 31A |
| Maksymalna tracona moc: | 180W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQB34N20LTM RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,1900 | 5,3300 | 4,6600 | 4,3300 | 4,2300 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQB34N20LTM
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
7200 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,5543 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQB34N20LTM
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
3200 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,2247 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 31A |
| Maksymalna tracona moc: | 180W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |