FQB34P10TM
Symbol Micros:
TFQB34p10tm
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 25V; 60mOhm; 33,5A; 155W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FQB34P10TM-F085; FQB34P10TM_F085;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 155W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQB34P10TM RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,1600 | 10,2800 | 9,1900 | 8,6200 | 8,4900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQB34P10TM
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,4900 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQB34P10TM
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,4900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 155W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |