FQD10N20CTM Fairchild
Symbol Micros:
TFQD10n20ctm
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 360mOhm; 7,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; FQD10N20CTM-VB;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 360mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,8A |
Maksymalna tracona moc: | 50W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD10N20CTM RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,0800 | 3,3800 | 2,8000 | 2,5200 | 2,4200 |
Rezystancja otwartego kanału: | 360mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,8A |
Maksymalna tracona moc: | 50W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |