FQD13N06LTM
Symbol Micros:
TFQD13n06ltm
Obudowa: TO252 (DPACK)
Logic N-MOSFET 11A 60V 28W 0.115Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 115mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 28W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD13N06LTM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0813 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD13N06LTM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
32500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1072 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 115mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 28W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |