FQD17P06TM
Symbol Micros:
TFQD17p06tm
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 135mOhm; 12A; 44W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 135mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 44W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD17P06TM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
42500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5008 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD17P06TM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7469 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 135mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 44W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |