FQD1N80TM
Symbol Micros:
TFQD1n80tm
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 20Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQD1N80TM RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
75 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4400 | 1,5300 | 1,2700 | 1,1300 | 1,0600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD1N80TM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2347 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 20Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |