FQD2N60CTM
Symbol Micros:
TFQD2n60ctm
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 44W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQD2N60CTM RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3400 | 2,1100 | 1,6700 | 1,5200 | 1,4500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD2N60CTM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
182500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD2N60CTM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
50000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 44W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |