FQD2N80TM
Symbol Micros:
TFQD2n80tm
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 6,3Ohm; 1,8A; 50W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQD2N80TM RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5300 | 1,5900 | 1,3200 | 1,1700 | 1,1000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |