FQD5P20TM
Symbol Micros:
TFQD5p20tm
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 1,4Ohm; 3,7A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD5P20TM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4061 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD5P20TM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4516 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD5P20TM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3729 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |