FQD8P10TM
Symbol Micros:
TFQD8p10tm
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 530mOhm; 6,6A; 44W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FQD8P10TM-F085; FQD8P10TM_F085;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 530mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 44W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD8P10TM RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
32 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1100 | 1,9500 | 1,6200 | 1,4400 | 1,3500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD8P10TM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD8P10TM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnętrzny:
17500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD8P10TM-F085
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnętrzny:
17500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2732 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 530mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 44W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |