FQP17P06
Symbol Micros:
TFQP17p06
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 120mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP17P06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
150 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8056 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP17P06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5269 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP17P06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1869 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6144 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |