FQP27P06
Symbol Micros:
TFQP27p06
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 27A; 120W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 70mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 27A |
| Maksymalna tracona moc: | 120W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP27P06 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
48 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 12,3700 | 9,6600 | 8,2800 | 8,1000 | 7,9800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP27P06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
950 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,9800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP27P06
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1440 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,9800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 70mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 27A |
| Maksymalna tracona moc: | 120W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |