FQP32N20C
Symbol Micros:
TFQP32n20c
Obudowa: TO220FP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 82mOhm; 28A; 156W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 28A |
Maksymalna tracona moc: | 156W |
Obudowa: | TO220FP |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP32N20C
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnętrzny:
900 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,4409 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP32N20C
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnętrzny:
930 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 8,6757 |
Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 28A |
Maksymalna tracona moc: | 156W |
Obudowa: | TO220FP |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |