FQP32N20C
Symbol Micros:
TFQP32n20c
Obudowa: TO220FP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 82mOhm; 28A; 156W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 28A |
| Maksymalna tracona moc: | 156W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP32N20C
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnętrzny:
900 szt.
| ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4963 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP32N20C
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnętrzny:
85 szt.
| ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2573 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP32N20C
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnętrzny:
940 szt.
| ilość szt. | 10+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,8153 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 28A |
| Maksymalna tracona moc: | 156W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |