FQP32N20C

Symbol Micros: TFQP32n20c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220FP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 82mOhm; 28A; 156W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 82mOhm
Maksymalny prąd drenu: 28A
Maksymalna tracona moc: 156W
Obudowa: TO220FP
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQP32N20C Obudowa dokładna: TO220FP  
Magazyn zewnętrzny:
900 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4409
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQP32N20C Obudowa dokładna: TO220FP  
Magazyn zewnętrzny:
930 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,6757
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 82mOhm
Maksymalny prąd drenu: 28A
Maksymalna tracona moc: 156W
Obudowa: TO220FP
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT